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          850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器  

          850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器
          我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。
           華北西南東北 Tina
          13124873453 同微信 可掃碼
           tina@microphotons.com
           西北華中華東華南 Lily
          13072177323 同微信 可掃碼
           Lily@microphotons.com
          產品型號 1
          貨號 操作 名稱
          I80010001  850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器   [PDF] 中心波長:850nm; 輸出功率:0.9mw 邊模抑制比:10dB     價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


          通用參數

          產品特點:

          單橫模和單縱模

          偏振穩定發射

          低功耗

          高可靠性

          高斯光束分布

          背面陰極和頂部陽極配置

          通過RoHS認證

           

          產品應用:

          激光鼠標

          光學傳感器應用

          光電編碼器

           

          光電特性:

          操作條件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

           

          參數

          符號

          最小

          典型

          最大

          單位

          備注

          閾值電流

          ITH

          1

          3

          5

          mA

          T = 25°C

          斜率效率

          η

          0.20

          0.40

          0.65

          mW/mA

          T = 25°C, I = Ith+1mA

          工作電流

          IOP

          2.3


          6

          mA

          T = 25°C, Pop=0.55mW

          工作電壓

          UOP



          2.3

          V

          工作條件

          微分電阻

          Rd

          20


          90

          ?

          T = 25°C,   Pop=0.55mW

          SM光輸出功率

          PSM

          0.9



          mW

          T = 25°C

          邊模抑制比

          SMSR

          10



          dB

          T = 25°C, Pop=0.9mW

          偏振方向的精度

          δpo

          -15


          +15

          deg

          T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

          發射波長

          λpeak

          840

          850

          860

          nm

          工作條件

          光束發散性

          θFW1/e2

          13

          17

          21

          deg

          T = 25°C, Pop=0.5mW

          光功率隨溫度的變化

          P(T) – Pop

          -200


          +120

          μW

          Iop, T=5...45°C

          SM=單個模式;FW1/e2=全寬1/e2

           

          絕對最大額定參數

          參數

          最大值

          單位

          備注

          連續工作電流

          8

          mA

          3

          連續反向電壓

          8

          V


          PCB焊料或回流溫度

          260

          °C

          最多10秒

           

          封裝尺寸:芯片尺寸

          參數

          最小

          典型

          最大

          備注

          芯片寬度

          135

          155

          175

          μm

          芯片長度

          135

          155

          175

          μm

          芯片厚度

          135

          150

          165

          μm

           











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