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          紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/AgGaS2/GaSe/ZnTe  

          紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/AgGaS2/GaSe/ZnTe
          本產品由于具有獨te的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫度穩定性和振動控制沒有苛刻的要求,可以進行良好的機械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS


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           西北華中華東華南 Lily
          13072177323 同微信 可掃碼  Lily@microphotons.com
           華北西南東北 Tina
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          產品型號 8
          貨號 操作 名稱
          A80160243  紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 7x5x25 mm   [PDF] 規格:5x5x1 mm;鍍膜:BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm;θ:39° ;φ:45°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160244  紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 6x6x2mm   [PDF] 規格:6x6x2mm;鍍膜:BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm;θ:50° ;φ:0°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160245  紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 5x5x0.4mm   [PDF] 規格:5x5x0.4mm;鍍膜:BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm;θ:34° ;φ:45°    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160246  紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 8x8x0.4mm   [PDF] 規格:8x8x0.4mm;鍍膜:BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm;θ:39° ;φ:45°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160247  紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 8x8x1mm   [PDF] 規格:8x8x1mm;鍍膜:BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm;θ:39° ;φ:45°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160800  紅外非線性 ZnGeP2(ZGP) 磷鍺鋅晶體 7x5x15 mm   [PDF] 7x5x15 mm;鍍膜:AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm;θ:54° ;φ:0°    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160241  紅外非線性 ZnGeP2(ZGP) 磷鍺鋅晶體 7x5x20 mm   [PDF] 規格:7x5x20 mm;鍍膜:AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm;θ:54° ;φ:0°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80160242  紅外非線性 ZnGeP2(ZGP) 磷鍺鋅晶體 7x5x25 mm   [PDF] 規格:7x5x25 mm;鍍膜:AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm;θ:54° ;φ:0°    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          本產品由于具有獨te的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫度穩定性和振動控制沒有苛刻的要求,可以進行良好的機械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS

          通用參數

          1、AgGaS2 硫鎵銀晶體

          AgGaS2簡稱AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 μm。雖然其非線性光學系數在上述提到的紅外晶體中是Min的,但是其邊緣為550 nm短波長高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量應用于利用二極管、摻鈦藍寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進行的差頻混頻實驗,直接紅外對抗系統,以及CO2激光倍頻。通過信號和飛秒OPO系統駐波的差頻,硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發生方面用的很普遍。


          2_1g7a.png

          14 mm長鍍增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過光譜


          3_m4ug.png

          AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調諧曲線



          2、ZnGeP2晶體(簡稱ZGP晶體),磷鍺鋅晶體

          ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 μm,其中有用的透光范圍從1.9至10.6 μm。 ZnGeP2擁有Max的非線性光學系數和較高的激光損傷閾值。它成功地應用于以下應用領域:

          ■ 通過與10.6 μm 波長混頻的 CO2激光的上轉換;

          ■ CO和 CO2 激光輻射的和頻;

          ■ 脈沖式CO、CO2 和DF化學激光的高效倍頻;餌和鈥激光泵浦時的中紅外OPO光的發生。

          E K S M A 光 學 提 供 具 有 最 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶體,更好的適應OPO或OPA應用,然后泵浦2.05-2.1 μm,鍍增透膜。

          4.png



          ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調諧曲線


          5.png


          ZnGeP2晶體在2 μm附近的吸收光譜


          6.png


          15 mm長鍍增透膜ZnGeP2晶體OPO@2.1 μm 的透過光譜


          3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體

          AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 μm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 μm及寬的相匹配能力,在被多種當前常用激光泵浦時,能為OPO應用提供極具潛力的應用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下,已經獲得2.5-12 μm的波長,以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下,獲得1.9-5.5 μm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經得到證明。


          7_kprj.png



          AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調諧曲線


          8_5lbm.png


          18 mm長無鍍膜AgGaSe2晶體的透過光譜


          9_et8s.png

          25 mm長鍍增透膜的AgGaSe2晶體的透過光譜



          4、GaSe硒化鎵

          GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長 在 0 . 6 5 至18 μm之間. GaSe晶體已經成功的應用于以下方面:CO2 激光的高效倍頻,脈沖式CO、CO2和DF化學 激光(λ = 2.36 μm)倍頻,CO和CO2激光向可見光的上轉換,通過釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產生紅外脈沖,3.5–18 μm范圍內 OPG光的發生,飛秒脈沖泵浦時0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發生。由于材料結構(沿(001)平面切開)限制了應用領域,為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。



          搜狗截圖20211026155600.png



          物理特性:

          晶體

          ZnGeP2

          AgGaSe2

          AgGaS2

          GaSe

          ZnTe

          晶體對稱性

          四方

          四方

          四方

          六角

          立方閃鋅礦

          點群

          42m

          42m

          42m

          62m

          43m

          晶格常數, ? a

          5.465

          5.9901

          5.757

          3.742

          6.1037

          c

          10.771

          10.8823

          10.305

          15.918

          -

          密度, g/cm3

          4.175

          5.71

          4.56

          5.03

          5.633



          光學特性:

          晶體

          ZnGeP2

          AgGaSe2

          AgGaS2

          GaSe

          ZnTe

          透光范圍,μm

          0.74-12

          0.73-18

          0.53-12

          0.65-18

          0.65-17

          折射率@






          1.06 μm

          no

          3.2324

          2.7005

          2.4508

          2.9082

          2.7779

          ne

          3.2786

          2.6759

          2.3966

          2.5676

          5.3 μm 

          no

          3.1141

          2.6140

          2.3954

          2.8340

          2.6974

          ne

          3.1524

          2.5823

          2.3421

          2.4599

          10.6 μm

          no

          3.0725

          2.5915

          2.3466

          2.8158

          2.6818

          ne

          3.1119

          2.5585

          2.2924

          2.4392



          吸收系數, cm-1 @






          1.06um

          3.0

          <0.02

          <0.09

          0.25

          -

          2.5um

          0.03

          <0.01

          0.01

          0.05

          -

          5.0um

          0.02

          <0.01

          0.01

          0.05

          -

          7.5um

          0.02

          -

          0.02

          0.05

          -

          10.0um

          0.4

          -

          <0.06

          0.05

          -

          11.0um

          0.8

          -

          0.06

          0.05

          -



          非線性光學特性:

          晶體

          ZnGeP2

          AgGaSe2

          AgGaS2

          GaSe

          ZnTe

          激光損失閾值, MW/cm2

          60

          25

          10

          28

          -

          @脈寬, ns

          100

          50

          20

          150

          -

          @波長, μm

          10.6

          2.05

          1.06

          9.3

          -

          非線性, pm/V

          111

          43

          31

          63

          -

          Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg

          76

          55

          67

          14

          -

          Walk-off角@5.3 μm, deg 0.57

          0.57

          0.67

          0.85

          3.4

          -



          熱學特性:

          晶體

          ZnGeP2

          AgGaSe2

          AgGaS2

          GaSe

          ZnTe

          熔點, °C

          1298

          851

          998

          1233

          1295

          熱膨脹系, 10-6/oK






          17.5(a)

          23.4(c)

          12.5

          9.0

          8.0

          9.1(b)

          18.0(d)

          -

          -

          -

          1.59(a)

          -6.4(c)

          -13.2

          8.25

          -

          8.08(b)

          -16.0(d)

          -

          -

          -

          @ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K



          計算折射率的SELLMEIER方程:

          晶體

          A

          B

          C

          D

          E

          F

          表達式

          ZnGeP2

          no

          8.0409

          1.68625

          0.40824

          1.2880

          611.05

          -

          n2=A

          +Bλ2/(λ2-C)

          +Dλ22-E)

          ne

          8.0929

          1.8649

          0.41468

          0.84052

          452.05

          -

          AgGaSe2

          no

          6.8507

          0.4297

          0.15840

          0.00125

          -

          -

          n2=

          A+B/(λ2-C)

          -Dλ2

          ne

          6.6792

          0.4598

          0.21220

          0.00126

          -

          -

          AgGaS2

          no

          3.3970

          2.3982

          0.09311

          2.1640

          950.0

          -

          n2=

          A+B/(1-C/λ2)

          +D/(1-E/λ2)

          ne

          3.5873

          1.9533

          0.11066

          2.3391

          1030.7

          -

          GaSe

          no

          7.443

          0.405

          0.0186

          0.0061

          3.1485

          2194

          n2=

          A+B/λ2+C/λ4+D/λ6

          +E/(1-F/λ2)

          ne

          5.76

          0.3879

          -0.2288

          0.1223

          1.855

          1780

          ZnTe

          No, ne

          9.92

          0.42530

          0.37766

          2.63580

          56.5

          -

          n2=

          A+B/(λ2-C2)

          +D/(λ2/E2-1)



          可以根據客戶要求提供的其它晶體有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

          ZnTe/碲化鋅:

          碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過光整流過程來產生太赫茲。光整流效應是晶體的二階非線性光學效應,也是一種特殊的差頻效應。對于有一定帶寬的飛秒激光脈沖,不同的頻率分相互作用產生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過碲化鋅晶體另一個<110>方向內自由空間電光整流產生的。太赫茲脈沖和可見光脈沖在碲化鋅晶體內直線傳播時,太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內產生雙折射,這一現象被線偏振可見光脈沖讀出。當可見光脈沖和太赫茲脈沖同時在同一晶體內傳播時,可見偏振光在太赫茲脈沖作用下產生旋光,用一個λ/4波片和一個分束偏振器以及一組平衡光電二極管,通過監控可見光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉相對于太赫茲脈沖的一組延遲時間,就可以監測太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場、振幅和延遲,是時域太赫茲光譜的魅力之一。

          碲化鋅也被用于紅外光學元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學元件。


          注意: 碲化鋅含有微氣泡,這并不影太赫茲的產生,然而,它們在晶體被照明時的投影下是可見的。我們不接受關于晶體內有氣泡的投訴。



          如何訂購:ZnGeP2 (ZGP) Crystals

          貨號

          Size, mm

          θ

          φ

          鍍膜

                標注

             交貨期

          TL-ZP-401

          7x5x15 mm

          54°

          AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

          OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

          3周

          TL-ZP-402

          7x5x20 mm

          54°

          AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

          OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

          3周

           TL-ZP-403

          7x5x25 mm

          54°

          AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

          OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

          6周



          AgGaS2 (AGS) Crystals

          貨號

          Size, mm

          θ

          φ

          鍍膜

          標注

          交貨期

          TAGS-401H

          5x5x1 mm

          39°

          45°

          BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

          DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

          1周

          TAGS-402H

          6x6x2 mm

          50°

          BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

          DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

          聯系我們

          TAGS-403H

          5x5x0.4 mm

          34°

          45°

          BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

          SHG @ 3-6 μm, Type 1

          1周

          TAGS-801H

          8x8x0.4 mm

          39°

          45°

          BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

          DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

          1周

          TAGS-802H

          8x8x1 mm

          39°

          45°

          BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

          DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

          1周

          AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.


          關于質量控制實驗室:

          Terahertzlabs光學的質量控制實驗室通過使用高度專業化的設備和工藝,能夠為客戶提供高質量的精密光學元件。質量控制實驗室配備了防振光學平臺、層流罩和超聲波清洗機,此外還配備了一系列高精度的測量設備來進行各種各樣的測試。


          光學測試:

          1, Genesys-2 分光光度計:用于200-1100 nm波段透過率的精密測量;

          2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過率和反射率的精密測量,激光光  束直徑<1 mm;

          3,  ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長測量面形和透過波前畸變的計算機控制科學干涉儀,標準具精度lambda/20;

          4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波長1064、532、355和266 nm,用于晶體角切精度測量、晶體效率和方向性測試;

          5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;

          6,G-5 Ganiometers – 用于測量棱鏡和楔角片角度,以及平面光學元件

          的平行度和塔差;

          7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡,帶CCD相機,用于表面質

          量檢測;

          8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;

          實驗室能力:

          光學實驗室具有如下能力:

          1,光學和幾何參數測量,如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差,用于波長轉換(二、三次倍頻)的光軸方向測量;

          2,表面質量測量,按照MIL、ISO或DIN標準;

          3, 平面度測量:波前畸變(反射和透過光束);

          4, 棱鏡和楔角片角度測量,平面元件的平行度測量;

          5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 過 率 測 量 ( 2 0 0 -2300 nm);

          6, 用ZEMAX軟件進行光學設計。

          關于晶體選擇列表僅供客戶參考:

          A-F系列

          G-H系列

           L-N系列

           P-Z系列

          Al2O3

          GaTe

          LaAlO3

          PbWO4

          Al

          GaN

          LiTaO3

          PbF2

          Au

          GaP

          LiNbO3

          PbS

          Ag

          Ga:ZnO

          LiF

          PIN-PMN-PT

          AlN 單晶

          GdScO3

          LSAT

          PMN-PT

          BaF2

          GaSb

          LaF3

          SrTiO3 (國產,進口,Ti面終止SrTiO3)

          BaTiO3

          GaAs

          LiAlO2

          SrLaAlO4

          BGO

          Graphite(普通;熱解)

          LGS 硅酸鎵鑭

          SrLaGaO4

          BSO

          GaSe

          LiGaO2

          Si(?超薄Si片)

          Bi2Te3

          GGG (Gd3Ga5O12)

          LGT鉭酸鎵鑭

          SiC?(4H,6H,3C)

          Bi2Se3

          Ge

          MgAl2O4 

          SBN

          Bi2Se2Te

          Hg(1-x)Cd(x)Te

          MgF2

          SiO2(玻璃和單晶)

          Bi2Te2Se

          InP

          MgO

          Si-Ge

          BP 黑磷

          InAs

          MoSe2

          TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)

          CdS

          InSb

          MoS2

          TbScO3

          CsI (TI)

          KH2PO4

          MoTe2

          TGG

          CaCO3

          KTaO3

          MgO:LiNbO3

          TeO2

          Cu(單晶)

          KTa 1-X NbXO3

          NdCaAlO4

          WTe2

          CdSe

          KCl

          NaCl

          WS2

          Ce:Lu2SiO5

          KTN

           Nb:SrTiO3 (國產,進口)

          WSe2

          CdWO4

          HOPG

          NdGaO3

          YAG

          CdZnTe


          NaCl

          YSZ

          CdTe


          Ni

          YAlO3

          CeF2



          YVO4

          CaF2



          ZnTe

          DyScO3



          ZnSe

          Fe:SrTiO3



          ZnO

          Fe3O4



          ZnS

          Fe2O3



          Zero diffraction plate (Si 和SiO2)















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