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          銦鎵砷 InGaAs 四象限探測接收模塊 1550nm  

          銦鎵砷 InGaAs 四象限探測接收模塊 1550nm
          GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測模塊,其采用 InGaAs 四象限 APD 芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。
           華北西南東北 Tina
          13124873453 同微信 可掃碼
           tina@microphotons.com
           西北華中華東華南 Lily
          13072177323 同微信 可掃碼
           Lily@microphotons.com
          產品型號 2
          貨號 操作 名稱
          E80040119  銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏四象限 PD芯片 探測接收模塊   [PDF] 工作波長 1550nm;光敏面直徑 1200um;電壓響應度 500 KV/W; 象限間隔 12um;光敏材料 InGaAs    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          E80040118  銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊   [PDF] 工作波長 1550nm;光敏面直徑 800um;電壓響應度 5 MV/W; 象限間隔 50um;光敏材料 InGaAs    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測模塊,其采用 InGaAs 四象限 APD 芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。

          產品特點

          ● 正照平面型芯片結構

          ● 象限間隔小、象限間串擾低

          ● 增益均勻性高

          ● 內部集成 TEC 與溫度傳感器

          ● 空間光輸入

          產品應用

          ● 激光定位

          ● 激光通信

          ● 捕獲、跟蹤

          ● 激光制導

          技術參數

          測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。

          參數名稱

          最小值

          典型值

          最大值

          單位

          工作波長

          -

          1550

          -

          nm

          光敏面直徑

          -

          800

          -

          um

          象限間隔

          -

          50

          -

          um

          -3dB 帶寬

          -

          2

          -

          MHz

          最大線性輸出電壓幅度

          -

          3

          -

          Vpp

          交流串擾

          -

          -

          5%

          -

          電壓響應度

          5

          -

          -

          MV/W

          增益一致性

          -

          -

          5%


          輸入等效噪聲功率@2M

          -

          -

          0.15

          pW/√Hz


          絕對最大額定值

          測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。

          參數名稱

          額定值

          單位

          貯存溫度范圍 TSTG

          -55~+100

          工作溫度范圍 TC

          -30~+70

          焊接溫度   Tp

          260(10s)

          TEC 電壓 VTEC

          7.4±0.74

          V

          TEC   電流 ITEC

          3.2±0.32

          A

          熱敏電阻阻值 Rth

          10

          工作電壓   VCC

          ±5(±0.1)

          V



          熱敏電阻阻-溫特性表

          xx1.jpeg

          產品符合 GJB 8120-2013《半導體光電模塊通用規范》。

          貯存使用要求:

          儲存和使用

          ● 器件應儲存在溫度為-10°C~+40°C和相對濕度不大于80%的通風、無腐蝕性氣體影響的潔

          凈環境。

          ● 儲存和使用過程避免外來物理損壞。

          靜電防護

          ● 產品為靜電敏感器件,在取放、安裝過程必須采取相應的靜電防護措施,如焊裝工具良好接地、人員佩戴防靜電手腕,穿戴防靜電服、工作臺上鋪設防靜電桌布等。

          ● 器件安裝、上電

          ● 使用器件時,首先接地,然后開啟電源;關閉器件時,首先移除光源,然后斷開電源。

          ● 器件應用時參數設計不應超過其最大額定值。

          ● 器件測試安裝應輕拿輕放,避免引線針及光纖折損。

          通用參數

          封裝外形、尺寸及引腳定義(單位:mm;公差:±0.05mm)

          2345截圖20210522103440.jpeg

          附表1 引腳定義

          引腳

          定義

          引腳

          定義

          1

          TEC+

          8

          VCC

          2

          OUT2

          9

          OUT4

          3

          TEC-

          10

          GND

          4

          GND

          11

          VEE

          5

          /

          12

          OUT1

          6

          OUT3

          13

          R-

          7

          GND

          14

          R+










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