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          銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長  

          銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長
          筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
           西北華中華東華南 Lily
          13072177323 同微信 可掃碼
           Lily@microphotons.com
           華北西南東北 Tina
          13124873453 同微信 可掃碼
           tina@microphotons.com
          產品型號 1
          貨號 操作 名稱
          E80042060  銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)   [PDF] 光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin腳    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

          我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

          為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


          產品特點

          ● 10mm超大光敏面

          ● 900nm to 1700nm 光譜響應

          ● 高線性 > 10 dBm

          ● —正照平面型芯片結構 

          ● 光敏面積大、低暗電流


          產品應用

          ● 激光功率計

          ● LED/LD老化診斷

          ● 光譜學

          ● LED/LD特性

          ● 眼睛安全激光檢測傳感器

          通用參數

          技術參數

          特性參數

          符號

          測試條件

          最小

          典型

          最大

          單位

          光譜響應范圍

          λ

          900~1700

          nm

          光敏面直徑

          φ

          10

          mm

          響應度

           

          Re

          VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

          0.85

          A/W

          VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

          0.95

          響應時間

          tS

          VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

          8

          20

          μs

          總電容

          C

          VR=5V,f=1KHz

          3

          10

          nF

          暗電流

          ID

          VR=5V,φe=0

          25

          100

          nA

          分流阻抗

          Rsh

          VR=10mV

          10


          光譜響應曲線

          tu1.png

          封裝及尺寸

          tu2.png

          極限值

          參數名稱

          符號

          額定值

          單位

          工作溫度

          TC

          -40~+85

          貯存溫度

          TSTG

          -55~+125

          正向電流

          IF

          10

          mA

          反向電流

          IR

          5

          mA

          焊接溫度(時間)

          St

          260℃(10s)

          -











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