貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 規格尺寸 |
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圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數 | 價格 |
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砷化鎵(GaAs)的生產采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術。 由于它是含砷的,應注意處理和工作中的預防措施。砷化鎵(GaAs)晶體的化學穩定性好,硬度高,抗惡劣環境能力很強,它在2-16μm光譜范圍有很好的透過率,廣泛應用于熱紅外成像系統,大功率CO2激光光學系統和FLIR系統。在現場環境很差,光學鏡頭或窗口需要反復擦拭的條件下,砷化鎵(GaAs)常被用來替代硒化鋅(ZnSe)作為紅外鏡頭或窗口的材料。
產品特點
● 化學穩定性好
● 硬度高
● 抗惡劣環境能力很強
產品應用
● 太赫茲時域系統
● 太赫茲源窗片
● 科學實驗室研究
● 遠紅外光學
● 高功率CO2激光器
● 熱紅外成像系統
● FLIR系統
參數
直徑公差 | +0/-0.005“ (+0/-0.13 毫米) |
厚度公差 | ± 0.005英寸(±0.13毫米) |
通光孔徑 | 85% |
排比 Parallelism | 3弧分(3 arc min) |
平整度 Flatness | 10.6微米的1/10波 (1/10 wave at 10.6 microns) |
表面光潔度 | 60/40 |
基板材料 | 砷化鎵 |
傳輸范圍: | 1-16μm |
折射率: | 3.2727 @10.33μm |
反射損失: | 44%@10.33μm |
吸收系數: | 0.01cm-1 |
吸收峰: | n / a |
dn / dT: | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
dn /dμ= 0: | 6.3μm |
密度: | 5.315g/cm3 |
熔點: | 1511℃ |
熱導率: | 48 W m-1K-1@273K |
熱膨脹: | 5.7×10-6/℃@300K |
硬度: | Knoop 750 |
比熱容: | 360 JKg-1K-1 |
介電常數: | 在低頻下為12.91 |
楊氏模量(E): | 84.8GPa |
剪切模量(G): | n / a |
體積模量(K): | 75.5GPa |
彈性系數: | n / a |
表觀彈性極限: | 71.9 MPa |
泊松比: | 0.31 |
溶解性: | 不溶于水 |
分子量: | 144.64 |
類/結構: | 立方ZnS,F43m,(100)裂解 |
折射率(O光)
μm | No | μm | No | μm | No |
1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光譜透射曲線
訂購型號 | 規格(D×L)(mm) | 光譜范圍 |
GAASP10-0.3 | 10.0×0.3mm | IR |
GAASP25.4-2 | 25.4×2.0mm | IR |