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          硅 Si 大光敏面四象限探測器 1064nm (光敏面直徑10/16mm)  

          硅 Si 大光敏面四象限探測器 1064nm (光敏面直徑10/16mm)
          器件是N型硅象限探測器,當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導的作用。


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           華北西南東北 Tina
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          產品型號 2
          貨號 操作 名稱
          E80040002  1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限探測器 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直徑 10mm;直流響應度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 擊穿電壓 200V    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          E80040004  1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限探測器 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)   [PDF] 光敏面直徑 16mm;直流響應度 0.3A/W; 光敏材料 Si; 擊穿電壓 200V    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          器件是N型硅象限探測器,當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導的作用。

          產品特點

          ● 標低暗電流

          ● 高均勻性、高對稱性    

          ● 高可靠性  

          ● 盲區小

          產品應用

          ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置

          ● 激光微定位、位移監控等精密測量系統

          通用參數


          特性參數

          符號

          測試條件

          (除另有規定外,TA=22℃±3℃)

          參數值

          Min. 值

          典型值

          Max. 值

          響應度(交流)(象限)

          Spi

          λ=1.064μm

          VR=135 V

          脈寬20 ns、Pin=2 mW

          0.25

          A/W

          響應度(直流)(象限)

          Rei

          直流、Pin=1μw

          0.30

          響應度變化量(直流) (象限)a

          響應度變化量(交流) (象限)a

          ΔRei

          TA=-45 ℃±2 ℃

          50

          %

          暗電流(象限)

          IDi

          VR=135V

          Pin=0μw

          TA=22℃±3℃

          1

          μA

          TA=70℃±3℃

          10

          暗電流(環)

          ID

          TA=22℃±3℃

          10

          TA=70℃±3℃

          100

          結電容(象限)

          Cji

          VR=135V,f=1MHz

          15

          pF

          光敏面直徑

          φ


          10

          16

          mm

          等效噪聲功率

          NEPi

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns

          5×10-12

          W/HZ1/2

          擊穿電壓(象限、環)

          VBR

          IR=10μA

          200

          V

          象元間靈敏度非均勻性

          Rf

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %

          象元內靈敏度非均勻性

          Rfn

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %

          象元間竄擾因子

          SLi

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %

          像元間隔(element gap)0.2mm



          光譜響應曲線


          QQ圖片20230208154925.jpg


          外形結構

          TO型氣密性封裝。外形結構見圖1,外形尺寸見表1。

          2345截圖20191014101445.png

          2345截圖20191014101905.png

          表1、外形尺寸(單位為毫米)

          尺寸符號

          φD1

          ΦD2

          ΦD3

          ΦD4

          ΦD5

          Φd

          A

          L1

          L2

          L3

          e

          Min. 值

          30.55

          27.80

          3.00

          27.915

          22.60

          0.98

          7.03

          3.02

          1.85

          2.70

          18.00

          Max. 值

          30.65

          28.00

          3.06

          27.94

          23.40

          1.02

          7.20

          3.10

          1.95

          3.00

          18.05


          引出端排列

          器件的引出端排列見圖2,引出端功能應符合表2的規定。

          2345截圖20191014103311.png

          表2、引出端功能表


          管腳

          功能

          電壓極性

          1

          象限1

          2

          公共P極

          3

          象限4

          4

          環極

          5

          象限3

          6

          殼體

          7

          象限2














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