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| 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 光譜響應 |
|---|
| 圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數 | 價格 |
|---|
筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應，從而扭曲光電二極管的時域響應。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高靈敏度
● 工作波長范圍：1260~1650nm
● 單電源供電
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標準
● RoHS認證RoHS compliant
● 無源光網絡與SDH/SONET傳輸系統
● 吉比特以太網與光纖信道
● 其它應用Other application
參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型Typ. | 最大 | 單位 |
TIA工作電流 | ICC | Vcc=3.3V | - | 44 | 59 | mA |
反向擊穿電壓1） | VBR | ID=100μA | 35 | - | 55 | V |
VBR溫度系數 | σ | γ= dVBR/dTC | - | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
ZT |
Pin=-30dBm， RL=100Ω, |
54 26 3.6 | kΩ | ||
-3dB帶寬 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
f-3dB |
Pin=-30dBm | 100 1000 2000 | MHz | ||
響應度 | Re | M=1 , λ = 1.55μm | 0.85 | 0.95 | - | A/W |
輸出阻抗 | ZO | Single ended | - | 50 | 70 | Ω |
靈敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P | PS |
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop | -47 -39 -35 -28 -34 -26 | － | － | dBm |
過載功率 APD PIN |
PMAX |
-5 +3 | - | - | dBm | |
光回損 | Lo | λ = 1.55μm | - | - | -30 | dB |
備注：1）僅適用于APD探測器 | ||||||
最大絕對額定值 T=25deg
參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
TIA電源電壓 | VCC | 5 | V |
APD反向電壓APD | VAPD | VBR | V |
APD/PD反向電流 | Ir | 2 | mA |
APD/PD正向電流 | If | 2 | mA |
工作溫度范圍 | TC | -40 ~ +85 | ℃ |
貯存溫度范圍 | TSTG | -55 ~ +100 | ℃ |
引腳編號 | 引腳功能說明 | 引出端符號 |
1 | 信號正輸出端 | Vout+ |
2 | 放大器電源 | VCC |
3 | 偏置電壓 | VAPD |
4 | 信號負輸出端 | Vout- |
5 | 接地 | GND (case) |
引腳編號 | 引腳功能說明 | 引出端符號 |
1 | 信號正輸出端 | Vout+ |
2 | 信號負輸出端 | Vout |
3 | 接地 | -GND (case) |
4 | 放大器電源 | VCC |
注意事項
a.嚴格按照引腳說明連接，輸出AC耦合時，差分負載應為100Ω
b. 貯運、使用過程中必須采取適當的靜電防護措施。
c.器件屬于高電壓工作器件，使用時應采取適當的設計和措施避免人體受到傷害。
型號示例： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX
速率□□□□：
0155:155Mbps
1.25:1.25Gbps
2.5:2.5Gbps
探測器類型☆：
A: APD
P: PD
T: TIA
封裝XX：
PG:尾纖
TO:TO封裝
營業執照