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          砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式 紅外非冷卻光伏探測器 2.0-5.5um PVIA系列  

           砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式 紅外非冷卻光伏探測器 2.0-5.5um PVIA系列
          PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。


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          產品型號 1
          貨號 操作 名稱
          E80040157  非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 紅外光伏探測器 2.15-3.5um   [PDF] 最佳波長λopt:2.15±0.2μm;相對響應強度D* (λpeak): 2.95±0.3 cm·Hz1/2/W;光敏面積 1×1mm^2;有源元件材料:外延InAs異質結構    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。

          產品特點

          ● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

          ● 可配專用前置放大器

          ● 高溫度穩定性與機械耐久性

          ● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒,提升探測器的性能


          產品應用

          ● 熱成像

          ● FTIR光譜學

          ● 激光外差探測

          ● 中紅外氣體分析


          通用參數

          參數

          探測器型號

          PVIA-3

          PVIA-5

          有源元件材料

          外延InAs異質結構

          外延InAsSb異質結構

          zui佳波長λopt(μm)

          2.15±0.2

          2.3±0.2

          相對響應強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

          2.95±0.3

          4.7±0.3

          相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

          3.5±0.2

          5.5±0.2

          電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

          ≥5×1010

          ≥5×109

          時間常數T,ns

          ≥1.3

          ≥1.3

          電阻R,Ω

          ≤20

          ≤15

          元件工作溫度Tdet,K

          ≥2K

          感光面尺寸A,mm×mm

          1×1

          封裝

          TO39

          接收角Φ

          ~36°

          窗口


          探測器光譜響應特性曲線

          PVIA.png




          封裝及尺寸

          TO8型封裝外形尺寸圖

          PVIA1.pngPVIA2.png



          透鏡參數


          參量

          數值

          浸沒微型透鏡形狀

          超半球形

          光學區域面積AO, mm×mm

          1×1

          R,mm

          0.8

          A,mm

          2.4±0.20


          ?—接收角度;

          R—超半球微型透鏡半徑

          A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離


          引腳定義

          功能

          引腳號

          探測器

          1(-),2(+)

          接地

          3











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