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          IR級拋光硅(Si)ATR衰減全反射梯形棱鏡 1.2-15um  

          IR級拋光硅(Si)ATR衰減全反射梯形棱鏡 1.2-15um
          光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區材料。硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。硅通過Czochralski拉伸技術(CZ)生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(FZ)工藝制備。 光學硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。


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          產品型號 2
          貨號 操作 名稱
          A80161222  IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射)52 x 20 x 2mm   [PDF] 透射范圍:1.2-15μm;折射率:3.4223 @5μm; 反射損耗:46.2%(5μm)(2個表面); 吸收系數:0.01cm^-1 at 3μm;尺寸:52 x 20 x 2mm; 45°ATR棱鏡;    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          A80161221  IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射) 80 x 10 x 4mm   [PDF] 透射范圍:1.2-15μm;折射率:3.4223 @5μm; 反射損耗:46.2%(5μm)(2個表面); 吸收系數:0.01cm^-1 at 3μm;尺寸:80 x 10 x 4mm ;45°ATR棱鏡;    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區材料。

          硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。

          硅通過Czochralski拉伸技術(CZ)生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(FZ)工藝制備。 光學硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。


          通用參數

          透射范圍:

          1.2-15μm(1)

          折射率:

          3.4223 @5μm(1)(2)

          反射損耗:

          46.2% @5μm(2個表面)

          吸收系數:

          0.01cm -1 at 3μm

          吸收峰:

          n / a

          dn / dT:

          160×10-6 /℃(3)

          dn /dμ= 0:

          10.4μm

          密度:

          2.33g / cc

          熔點:

          1420℃

          熱導率:

          273.3W m-1 K-1

          熱膨脹:

          2.6×10 -6 /℃ at 20℃

          硬度:

          Knoop 1150

          比熱容:

          703JKg-1K-1

          介電常數:

          13 at 10GHz

          楊氏模量(E):

          131GPa(4)

          剪切模量(G):

          79.9GPa(4)

          體積模量(K):

          102GPa

          彈性系數:

          C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80(4)

          表觀彈性極限:

          124.1MPa(18000 psi)

          泊松比:

          0.266(4)

          溶解性:

          不溶于水

          分子量:

          28.09

          類別/結構:

          立方鉆,Fd3m (Cubic diamond, Fd3m)



          折射率:(No = Ordinary Ray 普通射線)


          μm

          No

          μm

          No

          μm

          No

          1.357

          3.4975

          1.367

          3.4962

          1.395

          3.4929

          1.5295

          3.4795

          1.660

          3.4696

          1.709

          3.4664

          1.813

          3.4608

          1.970

          3.4537

          2.153

          3.4476

          2.325

          3.4430

          2.714

          3.4358

          3.000

          3.4320

          3.303

          3.430

          3.500

          3.4284

          4.000

          3.4257

          4.258

          3.4245

          4.500

          3.4236

          5.000

          3.4223

          5.500

          3.4213

          6.000

          3.4202

          6.500

          3.4195

          7.000

          3.4189

          7.500

          3.4186

          8.000

          3.4184

          8.500

          3.4182

          10.00

          3.4179

          10.50

          3.4178

          11.04

          3.4176







          2016120109393109 (1).jpg



          產品型號1: SICZPRISM52-20-2-45

          IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
          52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.
          梯形



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          產品型號2: SICZPRISM80-10-4-45

          2016121421360670.jpg

          IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
          80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.
          梯形



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