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| 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 工作波長 |
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| 圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數 | 價格 |
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光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質不重要。 如果需要FZ，可以提供沒有這種吸收的浮區材料。
硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。
硅通過Czochralski拉伸技術（CZ）生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過浮區（FZ）工藝制備。 光學硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
透射范圍： | 1.2-15μm（1） |
折射率： | 3.4223 @5μm（1）（2） |
反射損耗： | 46.2％ @5μm（2個表面） |
吸收系數： | 0.01cm -1 at 3μm |
吸收峰： | n / a |
dn / dT： | 160×10-6 /℃（3） |
dn /dμ= 0： | 10.4μm |
密度： | 2.33g / cc |
熔點： | 1420℃ |
熱導率： | 273.3W m-1 K-1 |
熱膨脹： | 2.6×10 -6 /℃ at 20℃ |
硬度： | Knoop 1150 |
比熱容： | 703JKg-1K-1 |
介電常數： | 13 at 10GHz |
楊氏模量（E）： | 131GPa（4） |
剪切模量（G）： | 79.9GPa（4） |
體積模量（K）： | 102GPa |
彈性系數： | C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4） |
表觀彈性極限： | 124.1MPa（18000 psi） |
泊松比： | 0.266（4） |
溶解性： | 不溶于水 |
分子量： | 28.09 |
類別/結構： | 立方鉆，Fd3m (Cubic diamond, Fd3m) |
折射率:(No = Ordinary Ray 普通射線)
μm | No | μm | No | μm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
產品型號1: SICZPRISM52-20-2-45
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.
梯形
產品型號2: SICZPRISM80-10-4-45
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.
梯形
營業執照