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          大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)  

          大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)
          高性能正照平面型結構的InGaAs APD 光電二極管芯片系列,具有高響應度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點,可用于人眼安全激光雷達等領域??商峁〢PD 裸芯、TO 封裝, 接受定制化服務開發。產品符合Telcordia-GR-468-CORE  可靠性要求。


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           西北華中華東華南 Lily
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          產品型號 1
          貨號 操作 名稱
          I80030010  大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏面直徑200um 最大增益50)   [PDF] 光譜響應:0.9-1 .7um;芯片尺寸:400×400±10μm;光敏面直徑:200±2um;單位增益響應度:1.05A/W; 焊盤直徑:60±2μm;增益:18;最大增益:50;暗電流:6.0A;電容:2.0F;芯片厚度:150±5μm;    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          高性能正照平面型結構的InGaAs APD 光電二極管芯片系列,具有高響應度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點,可用于人眼安全激光雷達等領域??商峁〢PD 裸芯、TO 封裝, 接受定制化服務開發。產品符合Telcordia-GR-468-CORE  可靠性要求。


          產品特點

          光譜響應范圍 0.9 ~1 .7 μm

          光敏面直徑 200μm

          高響應度、低暗電流

          高可靠性

          產品應用

          人眼安全激光雷達、激光測距

          光時域反射計(OTDR)

          空間光通信

          儀器儀表

          光纖傳感

          通用參數

          使用注意事項

          采取必要的ESD 防護措施,以避免靜電損傷

          InP 基的芯片易碎,取用時應注意操作,推薦用真空吸附工具



          芯片級光電參數

          產品型號

          OVQT-A200M50

          參數

          符號

          單位

          測量條件

          Min.

          典型

          Max.

          光敏面直徑

          Φ

          μm

          -

          200

          單位增益響應度

          Re

          A/W

          λ = 1.55μm, Pin = 1 μW

          0.95

          1.05

          -

          增益

          M

          -

          VR =VBR -3V

          10

          18

          -

          Max. 增益

           Mmax

           -

           VR =VBR - 1V

           45

           50

           -

          暗電流

          ID

          A

          VR =VBR -3V

          -

          6.0

          25

          暗電流溫度系數

           ΔTID

           /℃

          VR=VBR-3V ,-40℃ ~85℃

           -

           -

           1.1

          電容

          Ct

          F

          VR =VBR-3V, f=1MHz

          -

          2.0

          2.5

          -3dB 帶寬

          f-3dB

          GHz

          M=10, RL=50Ω

          0.4

          1.4

          -

          反向擊穿電壓

          VBR

          V

          ID = 10μA

          30

          42

          80

          擊穿電壓溫度系數

          ?

          V/°C

          -40 ~ +85°C

          0.1

          -

          0.15



          Max. jue對額定值

          參數

          符號

          額定值

          單位

          反向電流

          IR

          2

          mA

          正向電流

          IF

          10

          mA

          工作溫度

          Tc

          -40 ~ +85

          存儲溫度

          Tstg

          -55 ~ +125


          典型特性曲線

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          搜狗截圖20230426101209.png


          芯片尺寸及結構圖 um

          搜狗截圖20230426101425.png












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