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          1320nm高溫高功率DFB激光芯片  

          1320nm高溫高功率DFB激光芯片
          1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作,具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優點.輸出功率高達250mW.可根據客戶的需求提供波長定制服務


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           西北華中華東華南 Lily
          13072177323 同微信 可掃碼  Lily@microphotons.com
           華北西南東北 Tina
          13124873453 同微信 可掃碼  tina@microphotons.com
          產品型號 1
          貨號 操作 名稱
          I80010005  1320nm高溫高功率DFB激光芯片 250mW   [PDF] 芯片類型:DFB;中心波長:1320nm;輸出功率:250mW;邊模抑制比:45dB;偏振消光比:20dB;芯片溫度:85℃;CoC封裝    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
          總覽

          1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作,具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優點.輸出功率高達250mW.可根據客戶的需求提供波長定制服務

          通用參數

          產品特點:

          高功率和高溫的設計

          在大的溫度和電流范圍內無跳模

          低光束發射角

          高邊摸抑制比(SMSR)

          低RIN

          高反饋可持續性


          產品應用:

          光信號收發器

          數據中心

           

          技術參數:

          推薦的操作條件

          參數

          最小值

          典型值

          最大值

          單位

          芯片溫度

          65

          85

          105

          °C

          正向電流


          800

          900

          mA

          輸出功率

          20


          250

          mW


          基本參數





          對每個樣品進行測試@ CW, 85C, 800mA





          參數

          最小值

          典型值

          最大值

          單位

          輸出功率@ 900mA

          250



          mW

          正向電壓


          1.5

          3

          V

          閾值電流


          100

          130

          mA

          功率轉換效率


          18


          %

          峰值波長*

          1315

          1320

          1325

          nm

          波長溫度調諧系數


          90


          pm/°C

          波長電流調諧系數


          2.9


          pm/mA

          邊模抑制比 (SMSR)

          40

          45


          dB

          慢軸光束發散角 (FWHM)

          7

          8

          9

          deg

          快軸光束發散角 (FWHM)

          33

          35

          37

          deg

          偏振消光比 (PER)

          15

          20


          dB

          偏振


          TE



          *可根據要求提供范圍1270-1330nm范圍的其他波長

          噪聲特性





          條件 @ CW, 85C, 800mA





          參數

          最小值

          典型值

          最大值

          單位

          線寬 (自外差法 @ 80MHz)


          1

          5

          MHz

          相對強度噪聲 (RIN)*



          -140

          dB/Hz

          反饋靈敏度 (optical)**



          -30

          dB

          * 平均值,測量范圍為DC-10GHz

          ** 單線光譜和RIN<-140dB/Hz

          芯片參數

          參數

          最小值

          典型值

          最大值

          單位

          芯片長度


          3


          mm

          前端面的背向反射


          0.01

          0.1

          %

          后端面的背向反射

          90

          99


          %

           

          光譜圖




          典型工作性能

          @CW,推薦操作條件












          絕對最大值參數

          參數

          Min

          Max

          Unit

          正向電流


          950

          mA

          反向電壓


          1

          V

          工作溫度

          5

          125

          °C

          焊接溫度 (5 sec max)


          250

          °C

          存儲溫度 (采用原始密封包裝)

          -40

          85

          °C



          尺寸












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            1. 
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